氮化镓高速电子迁移率晶体管双界面热阻测试
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作者:
作者单位:

中国电子技术标准化研究院 北京 100176

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中图分类号:

TN386

基金项目:


Dual interface thermal resistance test of GaN highspeed electron mobility transistor
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China Electronics Standardization Institute, Beijing 100176, China

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    摘要:

    热阻的准确对GaN HEMT器件寿命评价的有效性有非常大的影响。红外热像法热阻测试只能在器件未封帽时进行,不适用于封装完整的器件。利用正偏栅极电压和瞬态热阻抗分离点相结合的瞬态双界面测试法,对一款进口GaN HEMT器件开展了电学法热阻测试研究。将测试结果与红外热像法热阻测试结果进行了对比,并分析了在不同控温冷板温度和功率条件下器件热阻的变化。结果表明,双界面热阻测试能够在封装完整的情况下实现对GaN HEMT器件热阻的准确测试,在不同条件下热阻测试结果呈现一定的变化规律。

    Abstract:

    The accuracy of thermal resistance will affect the validity of life test for GaN HEMT devices. IR thermal imaging method for thermal resistance test can only apply to devices prior to capping, but it is not suitable for completely packaged devices. Using transient dual interface test method, combination of forwardbiased gate voltage and the point of separation of thermal impedance curves, the electrical measurement for thermal resistance of an imported GaN HEMT device was studied.The test result compared with IR thermal imaging method, and the variation of thermal resistance was investigated by different cold plate temperature and dissipation power. The results show that the accurate thermal resistance test result of GaN HEMT devices with complete package can be achieved using the dual interface thermal resistance test method, and the change of thermal resistance under different test conditions have a certain rule.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

孙明,任翔.氮化镓高速电子迁移率晶体管双界面热阻测试[J].国外电子测量技术,2017,36(11):67-70

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  • 在线发布日期: 2017-12-23
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